平板电容器由两个蒸划环存彼此靠得很近的平行极侵果丰威命径端科来握氧板(设为a和b)所组成,360问答两极板的面积均为s,设两极板分别带有+q,-q的电荷。
每块极板的电荷密度为σ=q/s,除去极板的边缘效应,板间的电场看成是脚之庆八环复别裂买变境均匀电场,所以由高斯定理得两板间场强为e=σ/ε。
由s/d即平板电容公式可得出c=s/4πkd。
高斯定理,静电场的基本方程之一,它给出了电场强度却切能钟在任意封闭曲面上的面积分和包围在封闭曲面内的总电量之间的关系。
高斯定理定义:通过任意闭合曲面的电通量等于该闭合曲面所包围的所有电荷量的代数和与电常数之比。
电场强度公式:在匀强电场中,e=u/d
若知道一电荷受力大小可用,则e=f现督死/q点电荷形成的电场得:e=kq/r^2(k为一常数,q为形此电荷的电量,r为到此电荷的距离)可得出:随r的增大,点电荷形成的场强逐渐减小,不与r成正比,只与r^2成正比。