SimoneSRAM。
静态随机存取存储器（SRAM）是随机存取存储器的一种。所刑速房取秋言确谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。
然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatilememory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。
SRAM主要用于二级高速缓存（Level2Cache)。它来自利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。
SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种。
扩展资料：
论装科放打即百SRAM的问题：
1、采用FinFET晶体管的最新CMOS技术，单元尺寸的效率越来越低。
平面到FinFE360问答T的转变对SRAM单元的布局效率具有显着影响。使用FinFET的临界间距逐渐缩小导致SRAM单元尺寸减小迅速减慢。考虑到对更大的片上SRAM容量围念草很所的不断增长的需求，这种情况卷另农兵的时机不会更糟。距离SRAM将占据DSA处理器大小的情况并不遥远。
2、从正电源通过SRAM单元流到地的漏电流。
其中很大一部分原因是亚阈值晶体管泄漏呈指数级温度激活，这意味着随着芯片变热，它会急剧增加。这导致能量浪费，因为它没有任何有用的工杀清建作。虽然通常称为静态功耗，但这种泄漏也会在SRA难由省领封M处于有效使用状态时发生，并形成浪费能量的下限。
参考资料来源：百度百科-SRAM
