Simone内存的性能指标有以下方面。
1、存储速度：内存的存储速度用存取一次数据的时间来表示，单位为纳秒，记为ns，1秒=10亿纳秒，即1纳秒=10ˉ9秒。Ns值越小，表明存取时间越短，速度就越快。
2、容量：内存的容量越大越不容易卡顿，但它要受到主板支持最大容量的限制。单条内存的容量有1GB、2GB、4GB等几种。主板上通常都至少提供两个内存插槽，若安有多条内存，则电脑内存的总容量是所有内存容量之和。
3、CL CL是CAS Lstency的缩写，即CAS延迟时间，是指内存纵向地址脉冲的反应时间，是在一定频率下衡量不同规范内存的重要标志之一。
4、SPD芯片 SPD是一个8针256字节的EERROM(可电擦写可编程只读存储器) 芯片.位置一般处在内存条正面的右侧, 里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址、带宽等参数信息。当开机时，计算机的BIOS将自动读取SPD中记录的信息。
5、工作电压：由于低电压内存要低于标准电压1.5V保证稳定工作，因此生产低电压内存要求更高的品质，出厂时内存电压越高就代表内存品质越不好，这也是低电压内存的优点之一。因此，内存条高低电压的区别就在于低压内存条比汪基册高压内存条耗电量低，更加环保。
扩展资料：
内存的构造和原理。
内存的内部结构是PC芯片中最简单的，是由许多重复的“单元”——cell组成，每一个cell由一个电容和一个晶体管（一般是N沟道MOSFET）构成，电容可储存1bit数据量，充放电后电荷的多少（电势高低）分别对应二进制数据0和1。
由于电容会有漏电现象，因此过一段时间之后电荷会丢失，导致电势不足而丢失数据，因锋手此必须经常进行充电保持电势，这个充电的动作叫做困宏刷新，因此动态存储器具有刷新特性，这个刷新的操作一直要持续到数据改变或者断电。
而MOSFET则是控制电容充放电的开关。DRAM由于结构简单，可以做到面积很小，存储容量很大。
